基于V&V活动的缺陷清除率模型

    技术2025-02-18  11

    1.1缺陷清除率的定义

    缺陷清除率=发现的BUG数 / 应该发现的BUG数

    1.2定义指示器

    请见我曾发过的《度量分析计划》中与缺陷清除率有关的信息说明。

    1.3缺陷清除率的计算

    设开发过程有m个阶段,n个检查点,对第j个检查点发现的阶段i引入的缺陷个数记作Dij,则有如下缺陷清除矩阵:

     

    缺陷数

    缺陷注入

    阶段1

    阶段2

    阶段3

    阶段4

    ……

    阶段i

    ……

    阶段m

    总计

    V

    &

    V

    活动

    检查1

    D11

     

     

     

     

     

     

     

    D*1

    检查2

    D12

    D22

     

     

     

     

     

     

    D*2

    检查3

    D13

    D23

    D33

     

     

     

     

     

    D*3

    检查4

    D14

    D24

    D34

    D41

     

     

     

     

    D*4

    ……

    ……

    ……

    ……

    ……

    ……

     

     

     

    ……

    检查j

    D1j

    D2j

    D3j

    D4j

    ……

    Dij

     

     

    D*j

    ……

    ……

    ……

    ……

    ……

    ……

    ……

    ……

     

    ……

    检查n

    D1n

    D2n

    D3n

    D4n

    ……

    Din

    ……

    Dmn

    D*n

    合计

    D1*

    D2*

    D3*

    D4*

    ……

    Di*

    ……

    Dm*

    D

          

    在上述矩阵中阶段i总的注入缺陷数为Di*,设检查点j为该阶段的检查点,总的基础缺陷数为D*j,则阶段i的缺陷清除率为:

     

    i

     

     

    j-1

     

    DREi=

    Dk*

    -

    D*k

     

    k=1

     

     

    k=1

     

     

     阶段i的缺陷注入率为:

    DIEi=Di*/D*100%

                       

    例如:有如下缺陷清除率矩阵:

     

    缺陷数

    缺陷注入

    需求

    概要设计

    详细设计

    编码

    单元测试

    部件测试

    系统测试

    维护

    总计

    V

    &

    V

    活动

    需求分析和评审

    0

     

     

     

     

     

     

     

    0

    概要设计评审

    49

    681

     

     

     

     

     

     

    730

    详细设计评审

    6

    42

    681

     

     

     

     

     

    729

    代码审查

    12

    28

    114

    941

     

     

     

     

    1095

    单元测试

    21

    43

    43

    223

    2

     

     

     

    332

    部件测试

    20

    41

    61

    261

    0

    4

     

     

    387

    系统测试

    6

    8

    24

    72

    0

    0

    1

     

    111

    维护

    8

    16

    16

    40

    0

    0

    0

    1

    81

    合计

    122

    859

    939

    1537

    2

    4

    1

    1

    3465

     

    则详细设计阶段的缺陷清除率为:729/((122+859+939-730+0))=61.3%

      详细设计阶段的缺陷注入率为:939/3465=27.1%

     

    1.4建立DRM

    依据AIQCS中现有产品的缺陷清除率数据求缺陷引入率和缺陷清除率的平均值,再根据实际情况对这些数据进行合理修订,建立缺陷引入率和缺陷清除率的基线。测试活动作为V&V活动中的一个稳定的受控过程,将测试缺陷密度作为基线。以上三类数据作为建立缺陷清除率模型的输入。

    模型有如下关系:

    DRE模型

    识别阶段

    A入口处的缺陷密度

    B本阶段引入的缺陷密度

    C缺陷引入率

    小计A+B

    D缺陷清除率

    本阶段清除的缺陷密度

    需求

    0.00

    0.53

    10.00%

    0.53

    81.54%

    0.43

    设计

    0.10

    1.58

    30.00%

    1.67

    49.85%

    0.83

    实现

    0.84

    2.89

    55.00%

    3.73

    27.93%

    1.04

    测试

    2.69

    0.26

    5%

    2.95

    80.00%

    2.36

    维护

    0.59

    0.00

    0%

    0.59

    100.00%

    0.59

    总计

     

    5.25

    100.00%

     

     

    5.25

     

    本阶段清除的缺陷密度=(A+B)*D=(入口处的缺陷密度+本阶段引入的缺陷密度)×本阶段

    的缺陷清除率

    下阶段入口处的缺陷密度=上阶段总缺陷密度-上阶段清除的缺陷密度

     

    在缺陷引入率和清除率一定的情况下,通过调整总缺陷密度,使模型中的测试缺陷数达到组织基线。即得到了满足上述三个输入条件的DRM模型。

     

    以上推导过程可以简化为以下矩阵:

    识别阶段

    B本阶段引入的缺陷密度

    C缺陷引入率

    D缺陷清除率

    本阶段清除的缺陷密度

    需求

    0.53

    10.00%

    81.54%

    0.43

    设计

    1.58

    30.00%

    49.85%

    0.83

    实现

    2.89

    55.00%

    27.93%

    1.04

    测试

    0.26

    5%

    80.00%

    2.36

    维护

    0.00

    0%

    100.00%

    0.59

    总计

    5.25

     

     

    5.25

     

    本阶段清除的缺陷密度=本阶段清除率×(截至到本阶段的所有引入的缺陷密度和-截至上

    阶段清除的缺陷密度和)

    1.6应用DRM

    缺陷清除率模型在组织中应用于缺陷的预测和跟踪。对各V&V活动的缺陷识别能力进行估计,作为质量目标,指导项目实施。

     

    具体的应用过程如下: 

    在项目计划阶段,项目经理根据项目的特点,从《组织PCB》中,选择一组适合本项目的基线数据。缺省使用组织提供的《基于DRM的缺陷预测与跟踪表-模板》中的数据。

    在“缺陷预测与跟踪”表单中填入计划书中估计的“代码规模”,系统自动按照清除率矩阵模型计算出各阶段预计的缺陷数。

     

    在后面的每个里程碑结束点,即需求评审之后,设计评审之后,测试开始之前,产品发布,对预测的缺陷进行跟踪,并根据实际情况,修订后续过程的缺陷预测数据和调整V&V活动。

     

    以需求评审之后的缺陷跟踪与预测活动为例,在需求评审之后,将实际的识别的缺陷数填入“缺陷预测与跟踪”表单的“需求评审后的预测”表中,系统自动计算出本阶段的实际清除率和清除的缺陷密度,以及重新修订的后阶段缺陷密度和缺陷数。对每阶段调整的方式和改进行动,记录在“需求评审后的预测”表的“结果分析及解决方案”中。

     

    通过调整模型中本阶段和下阶段的“缺陷清除率”,达到满足发布的质量目标的要求。调整原则如下:

     

     

    1、  如本阶段的缺陷清除率超出了控制范围,但并位造成维护阶段的缺陷密度偏离中心线,可以不做任何调整,直接使用模型给出的后续阶段缺陷密度估算结果

    2、  如本阶段的缺陷清除率超出了控制范围,造成维护阶段的缺陷密度达不到基线中心线,调整下阶段的清除率,直到维护阶段的缺陷密度达到基线中心线。此时得到后续阶段的缺陷预测数据

    3、如调整过程中,使下阶段的清除率超出了控制范围,则需要退后到本阶段,通过加强本阶段的V&V活动,发现更多的缺陷,而不能进入到下阶段。如:

    步骤1

     

     

    步骤2

     

     

    步骤3

     

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