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前些天一直在过年，沉浸在过年的喜悦中，而且天冷的伸不出手，自然也就不想上网了，每天在看电视剧大丫鬟，感觉是个很不错的电视剧。
蒙娜丽莎的设计还得继续，这次进行ARM部分的设计。
在蒙娜丽莎系统中，ARM用于控制通讯和人机交互，在系统中处于比较重要的地位。
我选择了SANSUNG公司的S3C2440芯片，原因是它的速度较快、外设丰富，并且价格便宜，大约在40元人民币。
我认为进行硬件设计最快捷的方法就是购买一块开发板，然后从这个开发板的原理图中进行裁剪，然后布线制板焊接调试。
一个MPU的最小系统包括SDRAM、Flash、调试接口、时钟、电源、复位等。
上层原理图：
先说SDRAM的扩展。
首先要了解S3C2440的内存映射，以下均摘自S3C2440的Datasheet。
S3C2440具有MMU（Memory Management Unit），有8个Banks，每个Bank的地址空间是128MB，所以S3C2440的总的寻址空间是1GB。如下：
一般我们选择使用NAND Flash启动方式。原因是NAND Flash价格低、容量大，而且速度并不慢。
要想使用NAND Flash启动方式，只需要设置OM[0:1]=00就可以了，方法是在硬件设计上将OM0和OM1接地。如下：
我们使用两片HY57V561620作为ARM部分的SDRAM。
HY57V561620 是4Banks x 4M x 16Bit 的Synchronous DRAM。在S3C2440的Datasheet上ARM和SDRAM的接法如下：
这个是按照S3C2440的Datasheet上的接法。
我刚开始不明白为什么4M的SDRAM只有12根地址线，原来SDRAM的地址线是行列地址复用的。
还有一点，对于SDRAM这种易失性存储器，它的数据线不用按顺序连接，反正写进是什么，读出来就是什么，与顺序无关。
我们使用SAMSUNG的K9F1G08作为系统的非易失性存储器，容量为1Gbit，也就是128MByte。接法如下：
根据K9F1G08的参数，对芯片的配置如下：
NCON：1， Advance NAND flash(1KWords/2KBytes page size, 4/5 address cycle)
GPG13: 1，Page=2KBytes(NCON = 1)
GPG14： 1， 5 address cycle(NCON = 1)
GPG15： 0， 8-bit bus width
电路图如下：
JTAG如下：
时钟如下：
